Intel Sapphire Rapids第四代可擴(kuò)展至強(qiáng)雖然一再跳票，但技術(shù)上還是相當(dāng)值得期待的，除了首次支持DDR5內(nèi)存、PCIe 5.0總線，還會(huì)首次加入HBM2e高帶寬內(nèi)存，為特定應(yīng)用加速。

當(dāng)然，這個(gè)HBM2e內(nèi)存是可選的，不是所有型號(hào)都具備。

現(xiàn)在，我們第一次看到了它的實(shí)際表現(xiàn)，來(lái)自一顆至強(qiáng)鉑金8472C的樣品。

至強(qiáng)鉑金8472C 52核心104線程，二級(jí)緩存104MB，三級(jí)緩存97.5MB，單核、全核加速頻率分別為3.8GHz、3.0GHz，熱設(shè)計(jì)功耗PL1 350W、PL2 420W，峰值功耗764W，Tjmax溫度最高84℃。

集成的HBM2e具體容量不詳，大概率是64GB，官方曾披露會(huì)是四顆8-Hi堆疊。

作為對(duì)比的是旗艦至強(qiáng)鉑金8490H，滿血的60核心120線程，二級(jí)緩存120MB，三級(jí)緩存112.5MB，單核加速3.5GHz，全核加速2.9GHz，功耗指標(biāo)同上，最高溫度96℃。

測(cè)試都是雙路，CPU-Z單核跑分8472C領(lǐng)先約6.8%，畢竟頻率略勝一籌，多核則落后2.4%，并沒(méi)有什么區(qū)別。

V-Ray測(cè)試中體現(xiàn)了HBM2e加成的威力，8472C 95014分，領(lǐng)先8490H 71830分多達(dá)32.3%!

由此也可以看出，HBM2e僅適用于對(duì)帶寬極為敏感的特定應(yīng)用。